Simulasi Fabrikasi Simpangan Cetek Ultra menggunakan Resapan Dopan daripada SOD (Spin On Dopant)

Abstract

Pembentukan simpangan cetek ultra merupakan suatu proses yang kritikal dalam fabrikasi peranti-peranti submikron bagi teknologi litar terkamil pada masa hadapan. Di dalam penulisan ini, simulasi proses pembentukan simpangan cetek ultra telah dilaksanakan menggunakan perisian ATHENA dan ATLAS yang terdapat di dalam pakej perisian Silvaco TCAD Tools. Dengan kelebihan tiada resapan bertingkat fana dan pencemaran logam, resapan daripada SOD (Spin On Dopant) terdop tinggi merupakansuatu teknologi yang sesuai bagi pembentukan simpangan cetek ultra. Proses resapan dari SOD disimulasikan seperti model simulasi resapan dari sumber terdop oksida. Fabrikasi diod juga turut disimulasikan bagi menganalisis ciri-ciri elektrik bagi simpangan ini. Keputusan yang diperoleh dipaparkan dalam gambarajah dua dimensi. Keputusan daripada proses simulasi mendapati simpangan cetek P+N berprestasi tinggi dalam kedalaman simpang iaitu 40nm diperoleh menggunakan resapan terma pantas B150 ke dalam silikon serta mempunyai ciri-ciri diod yang baik dengan ketumpatan arus bocor t=yang rendah iaitu0.5nA/cm2. Simpangan cetek dengan kedalaman kurang daripada 20nm turut diperolehi tetapi kualiti diod terjejas akibat arus permukaan bocor yang tinggi.